全球存储芯片市场正掀起一轮涨价狂潮，在这场由AI驱动国产替代的盛宴中，一批中国企业正悄然崛起。
DRAM综合价格指数同比涨幅达47.7%，部分高端产品价格半年内累计涨幅超200%——这是2025年存储芯片市场交出的惊人数据。
九月中旬以来，三星、美光、SK海力士等国际大厂相继将DRAM价格上调15%至30%，NAND闪存价格也上调5%至10%。
在AI驱动、国产替代和周期上行的三重共振下，中国存储芯片企业正迎来前所未有的发展机遇。
01 行业新周期：AI驱动与价格暴涨
2025年，存储芯片市场步入新一轮高景气周期。根据TrendForce集邦咨询预测，25年第四季度一般型DRAM价格将季增8%-13%，若加计HBM，涨幅更将扩大至13%-18%。
与此同时，NAND Flash第四季各类产品合约价也将全面上涨，平均涨幅达5%-10%。
AI需求是推动本轮存储芯片增长的主要引擎。AI推理应用快速推升实时存取、高速处理海量数据的需求，促使机械硬盘与固态硬盘供应商积极扩大供给大容量存储产品。
随着全球主要HDD制造商近年未规划扩大产线，无法及时满足AI刺激的突发性、巨量储存需求，NL HDD交期已从原本的数周急剧延长为52周以上。
Yole Group预测，HBM市场将在2030年前保持33%的年复合增长率，届时其营收将超过DRAM市场总营收的50%。这一数据充分表明HBM在未来存储市场的重要地位。
02 国产化突破：从技术追赶到局部领先
在中国存储芯片市场，一场国产化替代的浪潮正全面展开。作为国内存储芯片产业两大支柱，长鑫科技与长江存储2025年一季度营业收入均突破10亿美元。
两家公司在全球存储芯片市场的份额分别增至4.10%和8.10%。
长鑫存储在DRAM领域实现从技术追赶到局部领先的跨越。其DDR5产品良率达80%，单位晶圆成本较韩国厂商低15%-20%。
更为重要的是，长鑫存储是国内唯一实现通用型DRAM晶圆大规模量产的企业，已成功量产19nm DDR5和LPDDR5X产品，良率超95%。
长江存储在3D NAND领域则实现多项技术突破。其自主研发的Xtacking架构将等效存储密度提升至294层，位密度达15.03 Gb/mm²，超越三星、SK海力士的14.5-14.75 Gb/mm²，成为全球首个突破15 Gb/mm²密度的厂商。
03 全产业链布局：五大龙头各领风骚
长鑫存储：国产DRAM的基石
长鑫存储在中国DRAM产业中占据绝对核心地位。根据最新数据，预计到2025年底，长鑫存储总产能将从2024年的20.00万片/月增至30.00万片/月，同比增长近50%，总产能占全球产能的比重也将达到15.60%。
技术迭代方面，长鑫存储正在从DDR4、LPDDR4加速向DDR5、LPDDR5转移。根据CounterPoint测算，到2025年末，长鑫科技DDR5市场份额将从年初的1.00%提升至7.00%；LPDDR5市场份额也将从0.50%提升至9.00%。
兆易创新：车规存储技术标杆
兆易创新是全球NOR Flash市场前三、国内份额第一的龙头企业。公司在利基型DRAM领域自研突破LPDDR4/5，车规级存储产品通过特斯拉等头部车企认证，技术壁垒和毛利率水平突出。
2025年一季度，兆易创新净利润暴增576%，车规级存储营收占比升至35%。新产能投用后，NOR Flash年产能将突破50亿颗，毛利率稳定在48%以上。
兆易创新还与长鑫存储有着深度协同，兆易创新董事长朱一明同时担任长鑫科技董事长，双方在DRAM技术研发及代工销售上深度合作。
澜起科技：DDR5接口全球龙头
澜起科技是全球DDR5内存接口芯片龙头，市占率超40%。公司牵头制定JEDEC国际标准，技术适配AI服务器高速内存需求，Chiplet封装方案已落地。
2025年上半年，澜起科技营收同比增长65%，HBM配套产品收入占比升至20%。预计2025年DDR5相关收入突破30亿元，海外市场份额再增8个百分点。
澜起科技的内存接口芯片已批量供应三星、SK海力士，并支持HBM3封装技术。同时，公司推出PCIe 5.0 Retimer芯片，适配长鑫存储最新产线，国产替代协同效应显著。
北方华创：设备平台全面布局
北方华创是国内半导体设备平台的领军企业，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法、离子注入、涂胶显影等核心工艺装备。
2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增加35.14%，扣非净利润为55.71亿元，同比增长55.53%，成为A股半导体行业上市公司的“盈利王”。
在刻蚀设备领域，北方华创已构建起涵盖ICP、CCP、干法去胶设备、高选择性刻蚀设备及Bevel刻蚀设备的全系列产品矩阵，其刻蚀设备销售收入超过50亿元。
公司的12英寸TSV刻蚀机通过长江存储294层NAND验证，在长鑫存储刻蚀机市占率超50%。
中微公司：刻蚀设备国内领先
中微公司是国内的刻蚀设备龙头，产品用于3D NAND和DRAM制造，长江存储订单占比高，是国产设备替代的关键力量。
2025年上半年，中微公司实现营业收入49.61亿元，同比增长43.88%；刻蚀设备销售收入为37.81亿元，占当期营业收入的比重为76.21%。
中微公司在刻蚀设备领域已完成布局，实现了ICP、CCP机型的全覆盖。公司的刻蚀产品已经覆盖包括逻辑和存储器件在内合计约95%的刻蚀需求。
公司的技术水平已能够进入台积电等国际一线客户的生产体系，可覆盖65nm至5nm工艺节点的集成电路制造生产线及先进封装生产线。
04 投资逻辑：三重动力驱动长期增长
国产替代势不可挡
在政策支持下，存储芯片国产化进程明显加速。大基金三期对存储领域投资增至210.8亿元，湖北、安徽对长江存储、长鑫存储配套补贴超68亿元。
研发加计扣除比例提至175%，HBM纳入“卡脖子”技术攻关清单，政策全链条护航产业升级。
2025年下半年，长江存储首条全国产化设备产线导入试产，标志着中国存储芯片产业彻底摆脱对国外设备的依赖。
长鑫存储二期工厂聚焦15nm以下先进制程，三期工厂设备采购需求约60亿美元，国产化率超50%。
技术升级持续推进
HBM和DDR5成为技术升级的主要方向。HBM通过堆叠多层DRAM芯片在基板芯片上，解决了“内存瓶颈”问题。
堆叠技术会提高薄膜沉积设备、刻蚀设备的使用次数，同时还会提高对设备精度与技术的要求。
长鑫存储正在从DDR4、LPDDR4加速向DDR5、LPDDR5转移。澜起科技作为全球DDR5内存接口芯片龙头，市占率超40%，将在这一技术升级浪潮中受益最大。
供需格局持续改善
从供给端看，海外原厂产能调整仍在继续。根据TrendForce集邦咨询，受NAND Flash需求疲软、价格压力等因素影响，美光、三星、SK海力士等海外原厂启动相关减产计划。
从24Q3开始，以盈利为主基调的原厂就开始将部分利润率偏低的传统DRAM产能转至DDR5、HBM等更高利润的产品。
从需求端看，AI推动存储需求持续增长。一方面，Server DRAM因CSP建置动能回温，DDR5产品需求持续增强。
另一方面，AI推理应用快速推升实时存取、高速处理海量数据的需求。这些因素共同作用，使得存储芯片的供需格局持续改善。
05 风险与挑战：前行道路上的不确定因素
尽管存储芯片行业前景看好，但投资者仍需警惕潜在风险。宏观经济波动可能影响存储芯片的整体需求。
行业周期波动风险也需关注，存储芯片行业具有明显的周期性特点，价格上涨带动资本开支增加，可能导致未来产能过剩。
技术升级迭代和研发失败风险同样不可忽视。存储芯片技术更新速度快，企业需要持续投入研发以保持竞争力，一旦技术路线选择失误或研发进度落后，就可能被市场淘汰。
上游晶圆等原材料紧缺和价格波动也是行业面临的风险因素。原材料价格的波动会直接影响企业的生产成本和盈利能力。
放眼全球，长江存储计划通过三期项目将总产能提升至15万片/月，力争到2026年占据全球NAND闪存市场15%的份额。
长鑫存储则计划通过HBM3量产和技术迭代，进一步提升国际产品竞争力。在可预见的未来，中国存储芯片企业不仅在国内市场替代进口，更将在全球市场与国际巨头一较高下。
存储芯片的国产化故事才刚刚开始，而这场技术追逐赛中，中国企业正从追跑者变为并跑者，未来甚至有望成为领跑者。
